O Departamento de Memória da Samsung vai aumentar o investimento em instalações para 2010 de um valor planeado de 3,8 milhões de euros para os seis milhões de euros.

O investimento adicional inclui o estabelecimento, em Hwaseong, da nova Line-16 para produção de memórias DRAM, NAND e da próxima geração de componentes de memória, bem como o aumento da capacidade da actual Line-15 para produção de memórias DRAM DDR3 de 30 nm.

Com uma área de construção de aproximadamente 560 mil metros de terreno desocupado, enquadrados nos 1,6 mil milhões de metros quadrados do complexo de Hwaseong da Samsung, a Line-16 prevê uma produção mensal de 200 mil placas de 12 polegadas a partir de 2011. Será a primeira nova linha de semicondutores da Samsung desde a inauguração da Line-15 em 2005.

O investimento faseado na nova Line-16 prevê um total aproximado de oito milhões de euros para a conclusão.

A expansão da Line-15 permitirá à Samsung aumentar a produção de memórias DRAM DDR3 de 30 nm em mais de 10 por cento do volume total de memórias DRAM de processamento electrónico de dados (PED) até ao final do ano. Este investimento surge em resposta à crescente necessidade de criar componentes de memória de baixo consumo energético e de maior densidade, utilizando a tecnologia de processamento mais eficaz actualmente disponível.

A Samsung investirá também cerca de 1,3 milhões de euros na consolidação das operações de System LSI em resposta à crescente procura de soluções SoC (System-on-Chip) para telemóveis e televisores digitais, bem como no fortalecimento da área de fundição.