Num dos mais significativos avanços referentes ao desenho de transístores, a Intel anunciou que está a utilizar dois novíssimos materiais na construção de paredes de isolamento e disjuntores nos seus transístores de 45 nanómetros (nm).

Centenas de milhões destes microscópicos transístores, ou disjuntores, vão integrar a próxima geração das famílias dos processadores multi-núcleos Intel Core 2 Duo, Intel Core 2 Quad e Xeon. A Intel adiantou ainda que já tem cinco versões beta destes produtos a funcionar, os primeiros de quinze processadores de 45nm desenhados pela empresa.

Este feito permite à Intel continuar a proporcionar velocidade revolucionária ao nível de servidores, computadores de secretária e computadores portáteis, enquanto reduz as fugas de energia dos transístores que poderão prejudicar o desenho do chip e do PC, as suas dimensões, consumo energético, ruídos e custos. Assegura também que a Lei de Moore, o axioma da indústria de alta tecnologia que defende a duplicação do número de transístores de dois em dois anos, continuará a prosperar na próxima década.

A Intel acredita que ultrapassou a indústria de semicondutores em cerca de um ano, com os primeiros processadores de 45nm da próxima geração de família de produtos de 45nm, com o nome de código Penryn. As versões beta, que serão destinadas a cinco segmentos de computadores diferentes, correm os sistemas operativos Windows Vista, Mac OS X, Windows XP e Linux, bem como diversas aplicações. A Intel continuará na senda da produção de 45nm no segundo semestre deste ano.