A Samsung Electronics apresentou o primeiro chip da classe DRAM de 40 nm. Este novo componente de 1-Gigabit DDR2 (x8) e o correspondente 1-Gigabyte 800 Mbps DDR2 SODIMM (Small outline DRAM inline memory module), ambos processados a 40 nm, foram certificados pela Intel Plataform Validation, programa para usar com o Intel GM45 series Express mobile chipsets.

“Com uma segurança extrema em tecnologia avançada e com um sistema/plataforma de operações válidas, o nosso compromisso como líder tecnológico permite-nos implementar o meio mais eficaz de produção de DRAM no mercado”, afirmaKevin Lee, vice-presidente e technical marketing da Samsung Semiconductor.

A migração para a classe de processamento de 40 nm prevê acelerar a entrada no ciclo do mercado em 50 por cento, para apenas um ano. A Samsung planeia também aplicar a tecnologia de 40nm no desenvolvimento de um dispositivo de 2Gb DDR3 para produção em série até final do ano de 2009.

A nova classe de processamento 40 nm conduzirá a uma redução de voltagem, quando comparado com o novo dispositivo da classe 50 nm, que a Samsung espera que venha a traduzir-se numa diminuição de cerca de 30 por cento no consumo de energia.

A inovação da tecnologia DRAM pela Samsung proporcionou também um aumento de aproximadamente 60 por cento da produtividade da classe de tecnologia de processamento de 50 nm.

A marca coreana espera também que o processador de 40 nm marque um passo significativo no sentido do desenvolvimento da próxima geração de tecnologia DRAM, tais como o DDR4.